QS5U21 Todos los transistores

 

QS5U21 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS5U21
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5
 

 Búsqueda de reemplazo de QS5U21 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

QS5U21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  rohm
 qs5u21.pdf pdf_icon

QS5U21

QS5U21 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U21 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U21 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching.

 9.1. Size:66K  rohm
 qs5u26.pdf pdf_icon

QS5U21

QS5U26 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U26 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U26 combines Pch MOSFET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low volta

 9.2. Size:80K  rohm
 qs5u28.pdf pdf_icon

QS5U21

QS5U28 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U28 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U28 combines Pch MOS FET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3)

 9.3. Size:74K  rohm
 qs5u23.pdf pdf_icon

QS5U21

QS5U23 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U23 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U23 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching.

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... QM8014U , QM8205V , QN7002 , QS5K2 , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 , QS5U17 , NCEP15T14 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 .

History: IRFH7914 | 4N80G-TF3-T | SSF3960J7-HF | IXFL38N100Q2 | HUF75831SK8T | STD30NE06LT4

 

 
Back to Top

 


 
.