QS5U27 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QS5U27
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS5U27

QS5U27 Datasheet (PDF)

..1. Size:67K rohm
qs5u27.pdf

QS5U27 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U27 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U27 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3

9.1. Size:66K rohm
qs5u26.pdf

QS5U26 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U26 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U26 combines Pch MOSFET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low volta

9.2. Size:75K rohm
qs5u21.pdf

QS5U21 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U21 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U21 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching.

9.3. Size:80K rohm
qs5u28.pdf

QS5U28 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U28 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U28 combines Pch MOS FET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3)

9.4. Size:74K rohm
qs5u23.pdf

QS5U23 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U23 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U23 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching.

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NTJD4158C | FHF10N80A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: