Справочник MOSFET. QS5U27

 

QS5U27 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS5U27
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TSMT5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QS5U27 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  rohm
 qs5u27.pdf pdf_icon

QS5U27

QS5U27 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U27 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U27 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3

 9.1. Size:66K  rohm
 qs5u26.pdf pdf_icon

QS5U27

QS5U26 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U26 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U26 combines Pch MOSFET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low volta

 9.2. Size:75K  rohm
 qs5u21.pdf pdf_icon

QS5U27

QS5U21 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U21 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U21 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching.

 9.3. Size:80K  rohm
 qs5u28.pdf pdf_icon

QS5U27

QS5U28 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U28 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U28 combines Pch MOS FET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: ME2312-G | BSC032N03SG | APQ12SN65AF | BF964S | STB26NM60ND | SM8008NSU | IRFB7730PBF

 

 
Back to Top

 


 
.