QS5U36 Todos los transistores

 

QS5U36 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS5U36
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5
 

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QS5U36 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  rohm
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QS5U36

QS5U36 Transistors 1.5V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U36 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE Features 1) The QS5U36 combines Nch MOSFET with a Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (1.5V). Each lead has same dimensions4) The Independentl

 9.1. Size:65K  rohm
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QS5U36

QS5U34 Transistors 1.8V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U34 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U34 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3)

 9.2. Size:65K  rohm
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QS5U36

QS5U33 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U33 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U33 combines Pch MOSFET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage d

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History: PSMN2R0-60ES | TSM301K12CQ

 

 
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