QS5U36 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS5U36

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm

Encapsulados: TSMT5

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QS5U36 datasheet

 ..1. Size:106K  rohm
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QS5U36

QS5U36 Transistors 1.5V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U36 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE Features 1) The QS5U36 combines Nch MOSFET with a Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (1.5V). Each lead has same dimensions 4) The Independentl

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QS5U36

QS5U34 Transistors 1.8V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U34 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U34 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching. 3)

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QS5U36

QS5U33 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U33 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U33 combines Pch MOSFET with 0 0.1 (1) (2) (3) a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage d

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