QS8J5 Todos los transistores

 

QS8J5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8J5

Código: J05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.9 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 10 nC

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

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QS8J5 Datasheet (PDF)

1.1. qs8j5.pdf Size:519K _update_mosfet

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QS8J5 Pch -30V -5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -30V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 39mW (1) ID -5A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package

1.2. qs8j5.pdf Size:279K _rohm

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4V Drive Pch + Pch MOSFET QS8J5 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : J05 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering un

 

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