QS8J5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS8J5
Código: J05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.9 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 10 nC
Tiempo de elevación (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSMT8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS8J5
QS8J5 Datasheet (PDF)
1.1. qs8j5.pdf 
Size:519K _update_mosfet
QS8J5 Pch -30V -5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -30V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 39mW (1) ID -5A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package
1.2. qs8j5.pdf Size:279K _rohm
4V Drive Pch + Pch MOSFET QS8J5 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : J05 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering un
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
