QS8J5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS8J5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT8
Búsqueda de reemplazo de QS8J5 MOSFET
QS8J5 Datasheet (PDF)
qs8j5.pdf

QS8J5 Pch -30V -5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)39mW(1) ID-5A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package
Otros transistores... QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , IRF3205 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , QS8K21 , QS8M11 , QS8M13 , QS8M51 , RFH25N18 .



Liste
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