QS8K11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QS8K11
   Código: K11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS8K11

QS8K11 Datasheet (PDF)

..1. Size:574K rohm
qs8k11.pdf

QS8K11 Dual Nch 30V 3.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS TSMT8 30V(7) (6) RDS(on) (Max.) (5) 50mWID (1) 3.5A(2) (3) PD1.5W (4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Pac

9.1. Size:1253K rohm
qs8k12.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K12 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(TSMT8).(1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : K12 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping ID=4A,

9.2. Size:1438K rohm
qs8k13.pdf

QS8K13 Dual Nch 30V 6.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS TSMT8 30V(7) (6) RDS(on) (Max.)28mW (5) ID6A(1) (2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8).(4) Tr2 Gate

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Liste

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