QS8K11 Todos los transistores

 

QS8K11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8K11

Código: K11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.55 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 3.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

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QS8K11 Datasheet (PDF)

1.1. qs8k11.pdf Size:574K _update_mosfet

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QS8K11 Dual Nch 30V 3.5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS TSMT8 30V (7) (6) RDS(on) (Max.) (5) 50mW ID (1) 3.5A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Pac

1.2. qs8k11.pdf Size:1222K _rohm

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Data Sheet 4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K11 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : K11 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TCR Basi

 5.1. qs8k13.pdf Size:1438K _update_mosfet

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QS8K13 Dual Nch 30V 6.0A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS TSMT8 30V (7) (6) RDS(on) (Max.) 28mW (5) ID 6A (1) (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). (4) Tr2 Gate

5.2. qs8k12.pdf Size:1253K _rohm

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Data Sheet 4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K12 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : K12 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping ID=4A, Type Code TC

 5.3. qs8k13.pdf Size:1244K _rohm

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QS8K11

Data Sheet 4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K13 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : K13 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TCR Basi

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