QS8M13 Todos los transistores

 

QS8M13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS8M13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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QS8M13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  rohm
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QS8M13

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M13 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET/(8) (7) (6) (5)Silicon P-channel MOSFETFeatures1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : M13 ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificati

 9.1. Size:427K  rohm
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QS8M13

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETQS8M11 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET/(8) (7) (6) (5)Silicon P-channel MOSFETFeatures(1) (2) (3) (4)1) Low on-resistance.2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : M11 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Tapi

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QS8M13

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M12 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET/(8) (7) (6) (5)Silicon P-channel MOSFETFeatures1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : M12 ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificati

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History: SI2306A | IRFSL41N15D

 

 
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