QS8M13 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8M13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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QS8M13 datasheet

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QS8M13

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M13 Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol M13 Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specificati

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QS8M13

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M11 Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol M11 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Tapi

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QS8M13

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M12 Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol M12 Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specificati

Otros transistores... QS8J2, QS8J4, QS8J5, QS8K11, QS8K13, QS8K2, QS8K21, QS8M11, 50N06, QS8M51, RFH25N18, RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, RFH35N08, RFH35N10, RFH45N05