RFK25P10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFK25P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO-204AE

 Búsqueda de reemplazo de RFK25P10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RFK25P10 datasheet

Otros transistores... RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, RFH35N08, RFH35N10, RFH45N05, RFH45N06, RFK25P08, IRF3710, RFK35N08, RFK35N10, RFM10N12, RFM10N15, RFM12N08, RFM12N08L, RFM12N10, RFM12N10L