PHW7N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHW7N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT429

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHW7N60E

PHW7N60E Datasheet (PDF)

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php7n60e phb7n60e phw7n60e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHW7N60 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 600 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 7 Aoff-state characteristics, fast Ptot Total power dissipation

7.2. Size:51K philips
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PHW7N60Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHW7N60 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 600 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 7 Aoff-state characteristics, fast Ptot

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Liste

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