Справочник MOSFET. PHW7N60E

 

PHW7N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHW7N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW7N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
php7n60e phb7n60e phw7n60e.pdfpdf_icon

PHW7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

 7.1. Size:55K  philips
phw7n60 1.pdfpdf_icon

PHW7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHW7N60 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 600 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 7 Aoff-state characteristics, fast Ptot Total power dissipation

 7.2. Size:51K  philips
phw7n60.pdfpdf_icon

PHW7N60E

PHW7N60Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHW7N60 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 600 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 7 Aoff-state characteristics, fast Ptot

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.