RFM15N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFM15N06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AA
Búsqueda de reemplazo de RFM15N06L MOSFET
RFM15N06L Datasheet (PDF)
2n7224 irfm150.pdf

2N7224SEMEIRFM150LABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL13.59 (0.535) 6.32 (0.249)POWER MOSFET13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)VDSS 100VID(cont) 34ARDS(on) 0.0701 2 3FEATURES REPETITIVE AVALANCHE RATING ISOLATED AND HERMETICALLY SEALED ALTERNATIVE TO TO-3 PACKAGE0.89 (0.035)1.14 (0
Otros transistores... RFM12N08L , RFM12N10 , RFM12N10L , RFM12N18 , RFM12N20 , RFM12P08 , RFM12P10 , RFM15N05L , K4145 , RFM15N12 , RFM15N15 , RFM25N05 , RFM25N06 , RFM5P12 , RFM5P15 , RFM8P08 , RFM8P10 .
History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A
History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A



Liste
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