RFM8P08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFM8P08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AA
Búsqueda de reemplazo de RFM8P08 MOSFET
RFM8P08 Datasheet (PDF)
Otros transistores... RFM15N05L , RFM15N06L , RFM15N12 , RFM15N15 , RFM25N05 , RFM25N06 , RFM5P12 , RFM5P15 , AON7410 , RFM8P10 , RFP10N12 , RFP10N15 , RFP12N08 , RFP12N08L , RFP12N10 , RFP12N18 , RFP12N20 .
History: RFM8P10 | RJK0631JPR
History: RFM8P10 | RJK0631JPR



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c