Справочник MOSFET. RFM8P08

 

RFM8P08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFM8P08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
 

 Аналог (замена) для RFM8P08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM8P08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  harris semi
rfm8p08 rfm8p10 rfp8p08.pdfpdf_icon

RFM8P08

Другие MOSFET... RFM15N05L , RFM15N06L , RFM15N12 , RFM15N15 , RFM25N05 , RFM25N06 , RFM5P12 , RFM5P15 , 2SK3568 , RFM8P10 , RFP10N12 , RFP10N15 , RFP12N08 , RFP12N08L , RFP12N10 , RFP12N18 , RFP12N20 .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.