PHW8N50E Todos los transistores

 

PHW8N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW8N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT429
 

 Búsqueda de reemplazo de PHW8N50E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHW8N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  philips
 php8n50e phb8n50e phw8n50e.pdf pdf_icon

PHW8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8N50E, PHB8N50E, PHW8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTIONN-c

 9.1. Size:90K  philips
 php8nd50e phb8nd50e phw8nd50e.pdf pdf_icon

PHW8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8ND50E, PHB8ND50E, PHW8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 8.5 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 Fast reverse

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.