RFP10N15 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFP10N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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RFP10N15 datasheet

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RFP10N15

RFD10P03L, RFD10P03LSM, S E M I C O N D U C T O R RFP10P03L 10A, 30V, 0.200 , Logic Level P-Channel Power MOSFET May 1997 Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac- tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200 feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti- mum utilization of silicon, result

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