Справочник MOSFET. RFP10N15

 

RFP10N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFP10N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 165 ns
   Выходная емкость (Cd): 230 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для RFP10N15

 

 

RFP10N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  njs
 rfm10n12 rfm10n15 rfp10n12 rfp10n15.pdf

RFP10N15 RFP10N15

 9.1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf

RFP10N15 RFP10N15

RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top