RHK005N03FRA Todos los transistores

 

RHK005N03FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RHK005N03FRA

Código: KU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm

Empaquetado / Estuche: SMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RHK005N03FRA

 

RHK005N03FRA Datasheet (PDF)

1.1. rhk005n03t146.pdf Size:51K _update_mosfet

RHK005N03FRA
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RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol : KU Packaging specifications

1.2. rhk005n03fra.pdf Size:911K _update_mosfet

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RHK005N03FRA RHK005N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03FRA RHK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbrevia

 1.3. rhk005n03.pdf Size:53K _rohm

RHK005N03FRA
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RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol : KU Packaging specifications and

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