RHP020N06T100 Todos los transistores

 

RHP020N06T100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RHP020N06T100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT3
 

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RHP020N06T100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  rohm
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RHP020N06T100

4V Drive Nch MOSFET RHP020N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT34.51.51.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3)2) High speed switching. 0.43) Wide SOA. 0.50.4 0.41.5 1.53.0(1)Gate(2)Drain(3)Source Abbreviated symbol : LR ApplicationsSwitching Packaging specifications and hFE Inner circuit DRAINPackage Taping

 5.1. Size:221K  rohm
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RHP020N06T100

4V Drive Nch MOSFET RHP020N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT34.51.51.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3)2) High speed switching. 0.43) Wide SOA. 0.50.4 0.41.5 1.53.0(1)Gate(2)Drain(3)Source Abbreviated symbol : LR ApplicationsSwitching Packaging specifications and hFE Inner circuit DRAINPackage Taping

 5.2. Size:1283K  kexin
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RHP020N06T100

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETRHP020N06 (KHP020N06)SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 200m (VGS = 10V) RDS(ON) 280m (VGS = 4.5V)0.42 0.10.46 0.1 RDS(ON) 340m (VGS = 4V) High speed switching1.Gate2.Drain3.SourceDRAINGATE*2*1SOURCE*1 ESD PROTECTION DIODE*2 BODY DIOD

 5.3. Size:3990K  cn tech public
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RHP020N06T100

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History: BSO200P03S | NP82N055NHE | TT8K11

 

 
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