RHP030N03T100 Todos los transistores

 

RHP030N03T100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RHP030N03T100

Código: KZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 6.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm

Empaquetado / Estuche: MPT3

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RHP030N03T100 Datasheet (PDF)

1.1. rhp030n03t100.pdf Size:60K _update_mosfet

RHP030N03T100
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RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code

1.2. rhp030n03.pdf Size:62K _rohm

RHP030N03T100
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RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T1

 

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