RHP030N03T100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RHP030N03T100
Código: KZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 6.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Empaquetado / Estuche: MPT3
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RHP030N03T100 Datasheet (PDF)
1.1. rhp030n03t100.pdf 
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RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code
1.2. rhp030n03.pdf Size:62K _rohm
RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T1
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