RHP030N03T100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RHP030N03T100  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: MPT3

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RHP030N03T100 datasheet

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RHP030N03T100

RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code

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RHP030N03T100

RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code

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