RHP030N03T100 Todos los transistores

 

RHP030N03T100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RHP030N03T100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT3
 

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RHP030N03T100 Datasheet (PDF)

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RHP030N03T100

RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT34.51.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3)2) 4V drive. 0.40.50.4 0.41.5 1.53.0(1)Gate Applications(2)DrainSwitching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3)Package TapingType Code

 5.1. Size:62K  rohm
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RHP030N03T100

RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT34.51.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3)2) 4V drive. 0.40.50.4 0.41.5 1.53.0(1)Gate Applications(2)DrainSwitching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3)Package TapingType Code

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History: AP4503AGEM-HF | 2SK1030A | FQP1N60 | IPA90R1K2C3 | DMG7N65SCT | TDM31058 | P5506HVG

 

 
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