RHU002N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RHU002N06
Código: KP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 2.2 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RHU002N06
RHU002N06 Datasheet (PDF)
rhu002n06.pdf
RHU002N06 Transistors Switching (60V, 200mA) RHU002N06 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. 2) High ESD. 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 1.255) Easily designed drive circuits. 2.16) Easy to use in parallel. 0.1Min.Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel Abbreviated symbol : KPMOSFET transisto
rhu002n06fra.pdf
AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFETRHU002N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channelUMT3MOSFET transistor2.0 0.90.3 0.2 0.7(3)Features 1) Low on-resistance. (2) (1)2) High ESD. 0.65 0.653) High-speed switching. 0.151.34) Low-voltage drive (4V). (1) SourceEach lead has same dimensions5) Drive circuits can be simple. (2) GateAbb
rhu003n03fra.pdf
RHU003N03FRARHU003N03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RHU003N03FRARHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : MN
rhu003n03.pdf
RHU003N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : MN(3) Drain Packaging specifications Inn
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