RHU002N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RHU002N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для RHU002N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RHU002N06 даташит

 ..1. Size:60K  rohm
 rhu002n06.pdf pdf_icon

RHU002N06

RHU002N06 Transistors Switching (60V, 200mA) RHU002N06 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. 2) High ESD. 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 1.25 5) Easily designed drive circuits. 2.1 6) Easy to use in parallel. 0.1Min. Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel Abbreviated symbol KP MOSFET transisto

 0.1. Size:1034K  rohm
 rhu002n06fra.pdf pdf_icon

RHU002N06

AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RHU002N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel UMT3 MOSFET transistor 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. (2) (1) 2) High ESD. 0.65 0.65 3) High-speed switching. 0.15 1.3 4) Low-voltage drive (4V). (1) Source Each lead has same dimensions 5) Drive circuits can be simple. (2) Gate Abb

 9.1. Size:911K  rohm
 rhu003n03fra.pdf pdf_icon

RHU002N06

RHU003N03FRA RHU003N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03FRA RHU003N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol MN

 9.2. Size:48K  rohm
 rhu003n03.pdf pdf_icon

RHU002N06

RHU003N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol MN (3) Drain Packaging specifications Inn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFP5P15, RFP8P08, RHK003N06FRA, RHK003N06T146, RHK005N03FRA, RHK005N03T146, RHP020N06T100, RHP030N03T100, IRF1407, RHU002N06FRA, RHU003N03, RHU003N03FRA, RJJ0601JPE, RJJ0601JPN, RJK005N03FRA, RJK005N03T146, RJK0323JPD