PHX3N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHX3N40E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT186A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHX3N40E

PHX3N40E Datasheet (PDF)

..1. Size:63K philips
phx3n40e 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.7 Ag Isolated packageRDS(ON) 3.5 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh

9.1. Size:73K philips
phx3n60e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.7 Ag Isolated packageRDS(ON) 4.4 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh

9.2. Size:72K philips
phx3n50e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.1 Ag Isolated packageRDS(ON) 3 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enhan

Otros transistores... PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , PHW9N60E , PHX2N50E , PHX2N60E , IRF540N , PHX3N50E , PHX3N60E , PHX4N60E , PHX4ND40E , PHX6N60E , PHX6NA60E , PHX6ND50E , PHX7N60E .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: