RJK0703DPN-E0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RJK0703DPN-E0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RJK0703DPN-E0

RJK0703DPN-E0 Datasheet (PDF)

..1. Size:74K renesas
rjk0703dpn-e0.pdf

Preliminary Datasheet RJK0703DPN-E0 R07DS0624EJ0200N-Channel MOS FET Rev.2.0075 V, 70 A, 6.7 m Aug 24, 2012Features High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220AB Outline RENESAS Package code: PRSS0004AG-A(Package name: TO-220AB)42, 4D1. Gate2. Drain1 G3. Source4. D

5.1. Size:75K renesas
rjk0703dpp-e0.pdf

Preliminary Datasheet RJK0703DPP-E0 R07DS0630EJ0200N-Channel MOS FET Rev.2.0075 V, 70 A, 6.7 m Oct 15, 2012Features High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220FP Outline RENESAS Package code: PRSS0003AG-A(Package name: TO-220FP)D1. Gate2. DrainG3. Source1S23Abs

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Liste

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