Справочник MOSFET. RJK0703DPN-E0

 

RJK0703DPN-E0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RJK0703DPN-E0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для RJK0703DPN-E0

 

 

RJK0703DPN-E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  renesas
 rjk0703dpn-e0.pdf

RJK0703DPN-E0 RJK0703DPN-E0

Preliminary Datasheet RJK0703DPN-E0 R07DS0624EJ0200N-Channel MOS FET Rev.2.0075 V, 70 A, 6.7 m Aug 24, 2012Features High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220AB Outline RENESAS Package code: PRSS0004AG-A(Package name: TO-220AB)42, 4D1. Gate2. Drain1 G3. Source4. D

 5.1. Size:75K  renesas
 rjk0703dpp-e0.pdf

RJK0703DPN-E0 RJK0703DPN-E0

Preliminary Datasheet RJK0703DPP-E0 R07DS0630EJ0200N-Channel MOS FET Rev.2.0075 V, 70 A, 6.7 m Oct 15, 2012Features High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220FP Outline RENESAS Package code: PRSS0003AG-A(Package name: TO-220FP)D1. Gate2. DrainG3. Source1S23Abs

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top