RJK0703DPN-E0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK0703DPN-E0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для RJK0703DPN-E0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0703DPN-E0 даташит

 ..1. Size:74K  renesas
 rjk0703dpn-e0.pdf pdf_icon

RJK0703DPN-E0

Preliminary Datasheet RJK0703DPN-E0 R07DS0624EJ0200 N-Channel MOS FET Rev.2.00 75 V, 70 A, 6.7 m Aug 24, 2012 Features High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220AB Outline RENESAS Package code PRSS0004AG-A (Package name TO-220AB) 4 2, 4 D 1. Gate 2. Drain 1 G 3. Source 4. D

 5.1. Size:75K  renesas
 rjk0703dpp-e0.pdf pdf_icon

RJK0703DPN-E0

Preliminary Datasheet RJK0703DPP-E0 R07DS0630EJ0200 N-Channel MOS FET Rev.2.00 75 V, 70 A, 6.7 m Oct 15, 2012 Features High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220FP Outline RENESAS Package code PRSS0003AG-A (Package name TO-220FP) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 S 2 3 Abs

Другие IGBT... RJK0628JPE, RJK0629JPE, RJK0630JPE, RJK0631JPD, RJK0631JPE, RJK0631JPR, RJK0632JPD, RJK0636JPD, AOD4184A, RJK0703DPP-E0, RJK1001DPP-E0, RJK1002DPP-E0, RJK1003DPN-E0, RJK1003DPP-E0, RJK1008DPP-E0, RJK1206JPD, RJK1209JPE