PHX6N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHX6N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT186A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHX6N60E

PHX6N60E Datasheet (PDF)

..1. Size:69K philips
phx6n60e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX6N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.8 Ag Isolated packageRDS(ON) 1.8 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh

9.1. Size:60K philips
phx6nd50e 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX6ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 3.1 A High thermal cycling performanceg Isolated package RDS(ON) 1.5 Fast reverse recovery diodetrr = 180 ns

9.2. Size:25K philips
phx6na60e.pdf

Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistors PHX6NA60E Low capacitance Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Low feedback capacitance Stable off-state characteristics ID = 3.9 Ag High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 1.2

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KHB1D0N60I

Liste

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