PHX6N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHX6N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT186A

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PHX6N60E Datasheet (PDF)

..1. Size:69K philips
phx6n60e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX6N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.8 Ag Isolated packageRDS(ON) 1.8 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh

9.1. Size:60K philips
phx6nd50e 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX6ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 3.1 A High thermal cycling performanceg Isolated package RDS(ON) 1.5 Fast reverse recovery diodetrr = 180 ns

9.2. Size:25K philips
phx6na60e.pdf

Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistors PHX6NA60E Low capacitance Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Low feedback capacitance Stable off-state characteristics ID = 3.9 Ag High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 1.2

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Liste

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