RJM0404JSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RJM0404JSC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOP-20
Búsqueda de reemplazo de RJM0404JSC MOSFET
RJM0404JSC Datasheet (PDF)
rjm0404jsc.pdf

Preliminary Datasheet RJM0404JSC R07DS0338EJ0500Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.00High Speed Power Switching May 11, 2011Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code: PRSP0020DF-A(P
Otros transistores... RJK6032DPH-E0 , RJK6036DP3-A0 , RJL5012DPP , RJL5013DPP , RJL5014DPP , RJL6012DPP , RJL6013DPP , RJL6014DPP , IRFB3607 , RJM0603JSC , RJP020N06T100 , RJU002N06FRA , RJU002N06T106 , RJU003N03FRA , RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 .
History: AP72T02GH | STL90N3LLH6 | NCE70N1K1K | STU336S
History: AP72T02GH | STL90N3LLH6 | NCE70N1K1K | STU336S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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