RJM0404JSC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJM0404JSC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: HSOP-20

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RJM0404JSC datasheet

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RJM0404JSC

Preliminary Datasheet RJM0404JSC R07DS0338EJ0500 Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.00 High Speed Power Switching May 11, 2011 Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code PRSP0020DF-A (P

Otros transistores... RJK6032DPH-E0, RJK6036DP3-A0, RJL5012DPP, RJL5013DPP, RJL5014DPP, RJL6012DPP, RJL6013DPP, RJL6014DPP, K4145, RJM0603JSC, RJP020N06T100, RJU002N06FRA, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, RK3055ETL, RK7002AT116