Справочник MOSFET. RJM0404JSC

 

RJM0404JSC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJM0404JSC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: HSOP-20
 

 Аналог (замена) для RJM0404JSC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJM0404JSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  renesas
 rjm0404jsc.pdf pdf_icon

RJM0404JSC

Preliminary Datasheet RJM0404JSC R07DS0338EJ0500Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.00High Speed Power Switching May 11, 2011Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code: PRSP0020DF-A(P

Другие MOSFET... RJK6032DPH-E0 , RJK6036DP3-A0 , RJL5012DPP , RJL5013DPP , RJL5014DPP , RJL6012DPP , RJL6013DPP , RJL6014DPP , IRFB3607 , RJM0603JSC , RJP020N06T100 , RJU002N06FRA , RJU002N06T106 , RJU003N03FRA , RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 .

 

 
Back to Top

 


 
.