RJP020N06T100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RJP020N06T100
   Código: LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RJP020N06T100

RJP020N06T100 Datasheet (PDF)

..1. Size:52K rohm
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RJP020N06 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJP020N06 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET MPT34.51.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3)2) Low voltage drive (2.5V drive). 0.40.50.4 0.41.5 1.53.0(1)Gate Applications(2)DrainSwitching (3)Source Abbreviated symbol : LS Packaging specifications Inner circu

..2. Size:1624K cn vbsemi
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RJP020N06T100www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherw

5.1. Size:54K rohm
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Liste

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