RJP020N06T100 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

RJP020N06T100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJP020N06T100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: MPT3

Búsqueda de reemplazo de RJP020N06T100 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

RJP020N06T100 datasheet

..1. Size:52K rohm
rjp020n06t100.pdf pdf_icon

RJP020N06 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJP020N06 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) Low voltage drive (2.5V drive). 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol LS Packaging specifications Inner circu

..2. Size:1624K cn vbsemi
rjp020n06t100.pdf pdf_icon

RJP020N06T100 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherw

5.1. Size:54K rohm
rjp020n06.pdf pdf_icon

Otros transistores... RJL5012DPP, RJL5013DPP, RJL5014DPP, RJL6012DPP, RJL6013DPP, RJL6014DPP, RJM0404JSC, RJM0603JSC, AON7410, RJU002N06FRA, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, RK3055ETL, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116

RJP020N06T100 Todos los transistores