RP1E100RPTR Todos los transistores

 

RP1E100RPTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RP1E100RPTR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 39 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0126 Ohm

Empaquetado / Estuche: MPT6

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RP1E100RPTR Datasheet (PDF)

1.1. rp1e100rptr.pdf Size:336K _update_mosfet

RP1E100RPTR
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4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP  Structure  Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) 4V drive.  Application Switching  Packaging specifications  Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1E100RP  ∗2 (1)

1.2. rp1e100rp.pdf Size:338K _rohm

RP1E100RPTR
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4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) ?Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) 4V drive. ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1E100RP ? ?2 (1) Source (2) Source

 3.1. rp1e100xn.pdf Size:321K _rohm

RP1E100RPTR
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4V Drive Nch MOSFET RP1E100XN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1

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