Справочник MOSFET. RP1E100RPTR

 

RP1E100RPTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RP1E100RPTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0126 Ohm
   Тип корпуса: MPT6

 Аналог (замена) для RP1E100RPTR

 

 

RP1E100RPTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  rohm
 rp1e100rptr.pdf

RP1E100RPTR RP1E100RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E100RP 2(1)

 5.1. Size:338K  rohm
 rp1e100rp.pdf

RP1E100RPTR RP1E100RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E100RP 2(1)

 7.1. Size:321K  rohm
 rp1e100xn.pdf

RP1E100RPTR RP1E100RPTR

4V Drive Nch MOSFET RP1E100XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pi

 9.1. Size:1134K  rohm
 rp1e125xn.pdf

RP1E100RPTR RP1E100RPTR

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E125XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (6) (5) (4)TypeCode TRBasic orderi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top