PHX8N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHX8N50E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 37 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT186A
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHX8N50E
PHX8N50E Datasheet (PDF)
phx8n50e.pdf
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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.2 Ag Isolated packageRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, en
phx8nd50e 2.pdf
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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 4.2 A High thermal cycling performanceg Isolated package RDS(ON) 0.85 Fast reverse recovery diodetrr = 180 n
phx8nq11t.pdf
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PHX8NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 14 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulatedplastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Isolated package.1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies.1.4 Qui
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