RQ5E035BN Todos los transistores

 

RQ5E035BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ5E035BN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RQ5E035BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1120K  rohm
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RQ5E035BN

RQ5E035BNDatasheetNch 30V 3.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS30VRDS(on)(Max.) 37m ID 3.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS

 7.1. Size:2650K  rohm
 rq5e035at.pdf pdf_icon

RQ5E035BN

RQ5E035ATDatasheetPch -30V -3.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-30VRDS(on)(Max.) 50m ID 3.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.lPackaging specifica

 8.1. Size:2865K  rohm
 rq5e030aj.pdf pdf_icon

RQ5E035BN

RQ5E030AJDatasheetNch 30V 3A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS30VRDS(on)(Max.) 75mID 3.0A(SC-96)PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications

 9.1. Size:1542K  rohm
 rq5e040tn.pdf pdf_icon

RQ5E035BN

RQ5E040TNDatasheetNch 30V 4A Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-346TVDSS30V SC-96RDS(on)(Max.)48m TSMT3ID4.0APD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Built-in G-S Protection Diode3) Small Surface Mount Package (TSMT3)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications

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History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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