RQ6E030AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ6E030AT
Código: JS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 5.4 nC
Tiempo de elevación (tr): 8.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.091 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSMT6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ6E030AT
RQ6E030AT Datasheet (PDF)
1.1. rq6e030at.pdf 
Size:2714K _update_mosfet
RQ6E030AT Datasheet Pch -30V -3.0A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 91mΩ ID ±3.0A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging
4.1. rq6e035at.pdf Size:2653K _update_mosfet
RQ6E035AT Datasheet Pch -30V -3.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 50mΩ ID ±3.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ;
5.1. rq6e055bn.pdf Size:2706K _update_mosfet
RQ6E055BN Datasheet Nch 30V 5.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 25mΩ ID ±5.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; Ro
5.2. rq6e050at.pdf Size:2649K _update_mosfet
RQ6E050AT Datasheet Pch -30V -5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 27mΩ ID ±5.0A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifica
5.3. rq6e045bn.pdf Size:2697K _update_mosfet
RQ6E045BN Datasheet Nch 30V 4.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 30mΩ ID ±4.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; Ro
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