RQ6E030AT Todos los transistores

 

RQ6E030AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ6E030AT

Código: JS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 5.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 8.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.091 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ6E030AT

 

RQ6E030AT Datasheet (PDF)

1.1. rq6e030at.pdf Size:2714K _update_mosfet

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RQ6E030AT Datasheet   Pch -30V -3.0A Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT6 VDSS -30V   RDS(on)(Max.) 91mΩ     ID ±3.0A     PD 1.25W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging

4.1. rq6e035at.pdf Size:2653K _update_mosfet

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RQ6E035AT Datasheet   Pch -30V -3.5A Power MOSFET    lOutline l             TSMT6 VDSS -30V   RDS(on)(Max.) 50mΩ     ID ±3.5A     PD 1.25W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ;

 5.1. rq6e045bn.pdf Size:2697K _update_mosfet

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RQ6E045BN Datasheet   Nch 30V 4.5A Power MOSFET    lOutline l             TSMT6 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 30mΩ     ID ±4.5A     PD 1.25W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; Ro

5.2. rq6e050at.pdf Size:2649K _update_mosfet

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RQ6E050AT Datasheet   Pch -30V -5A Power MOSFET    lOutline l             TSMT6 VDSS -30V   RDS(on)(Max.) 27mΩ     ID ±5.0A     PD 1.25W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifica

 5.3. rq6e055bn.pdf Size:2706K _update_mosfet

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RQ6E055BN Datasheet   Nch 30V 5.5A Power MOSFET    lOutline l             TSMT6 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 25mΩ     ID ±5.5A     PD 1.25W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; Ro

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