RQ6E030AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RQ6E030AT
Маркировка: JS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.4 nC
Время нарастания (tr): 8.5 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.091 Ohm
Тип корпуса: TSMT6
RQ6E030AT Datasheet (PDF)
1.1. rq6e030at.pdf 
Size:2714K _update_mosfet
RQ6E030AT Datasheet Pch -30V -3.0A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 91mΩ ID ±3.0A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging
4.1. rq6e035at.pdf Size:2653K _update_mosfet
RQ6E035AT Datasheet Pch -30V -3.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 50mΩ ID ±3.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ;
5.1. rq6e055bn.pdf Size:2706K _update_mosfet
RQ6E055BN Datasheet Nch 30V 5.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 25mΩ ID ±5.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; Ro
5.2. rq6e050at.pdf Size:2649K _update_mosfet
RQ6E050AT Datasheet Pch -30V -5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 27mΩ ID ±5.0A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifica
5.3. rq6e045bn.pdf Size:2697K _update_mosfet
RQ6E045BN Datasheet Nch 30V 4.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 30mΩ ID ±4.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; Ro
Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |