Справочник MOSFET. RQ6E030AT

 

RQ6E030AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RQ6E030AT

Маркировка: JS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 5.4 nC

Время нарастания (tr): 8.5 ns

Выходная емкость (Cd): 45 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.091 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RQ6E030AT

 

 

RQ6E030AT Datasheet (PDF)

1.1. rq6e030at.pdf Size:2714K _update_mosfet

RQ6E030AT RQ6E030AT

RQ6E030AT Datasheet 　　Pch -30V -3.0A Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　 　 　 　 　 　 TSMT6 VDSS -30V 　 RDS(on)(Max.) 91mΩ 　 　 ID ±3.0A 　 　 PD 1.25W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging

1.2. rq6e030at.pdf Size:2714K _rohm

RQ6E030AT RQ6E030AT

RQ6E030AT Datasheet 　　Pch -30V -3.0A Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　 　 　 　 　 　 TSMT6 VDSS -30V 　 RDS(on)(Max.) 91mΩ 　 　 ID ±3.0A 　 　 PD 1.25W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging

 4.1. rq6e035at.pdf Size:2653K _update_mosfet

RQ6E030AT RQ6E030AT

RQ6E035AT Datasheet 　　Pch -30V -3.5A Power MOSFET 　　 lOutline l 　 　 　 　 　 　 TSMT6 VDSS -30V 　 RDS(on)(Max.) 50mΩ 　 　 ID ±3.5A 　 　 PD 1.25W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ;

4.2. rq6e035at.pdf Size:2653K _rohm

RQ6E030AT RQ6E030AT

RQ6E035AT Datasheet 　　Pch -30V -3.5A Power MOSFET 　　 lOutline l 　 　 　 　 　 　 TSMT6 VDSS -30V 　 RDS(on)(Max.) 50mΩ 　 　 ID ±3.5A 　 　 PD 1.25W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ;

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