RQ6E050AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ6E050AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RQ6E050AT datasheet

 ..1. Size:2649K  rohm
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RQ6E050AT

RQ6E050AT Datasheet Pch -30V -5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 27m ID 5.0A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifica

 8.1. Size:2706K  rohm
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RQ6E050AT

RQ6E055BN Datasheet Nch 30V 5.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 25m ID 5.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; Ro

 9.1. Size:2714K  rohm
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RQ6E050AT

RQ6E030AT Datasheet Pch -30V -3.0A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 91m ID 3.0A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging

 9.2. Size:2653K  rohm
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RQ6E050AT

RQ6E035AT Datasheet Pch -30V -3.5A Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 50m ID 3.5A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ;

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