RS1E150GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RS1E150GN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1E150GN
RS1E150GN Datasheet (PDF)
rs1e150gn.pdf
RS1E150GN Nch 30V 15A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)8.8mWRDS(on) at 4.5V (Max.)11.4mWID15APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BOD
rs1e130gn.pdf
RS1E130GN Nch 30V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)11.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)15.2mWID13APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain (4) Gate (8) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 BODY DIODE 4) Hal
rs1e170gn.pdf
RS1E170GN Nch 30V 17A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)6.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)8.7mWID17APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY DI
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History: TK13A25D | TF2323
Liste
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