RS1E170GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RS1E170GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1E170GN

RS1E170GN Datasheet (PDF)

..1. Size:460K rohm
rs1e170gn.pdf

RS1E170GN Nch 30V 17A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)6.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)8.7mWID17APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY DI

9.1. Size:464K rohm
rs1e130gn.pdf

RS1E130GN Nch 30V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)11.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)15.2mWID13APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain (4) Gate (8) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 BODY DIODE 4) Hal

9.2. Size:466K rohm
rs1e150gn.pdf

RS1E150GN Nch 30V 15A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)8.8mWRDS(on) at 4.5V (Max.)11.4mWID15APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BOD

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Liste

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