RS1E280BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1E280BN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 28 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 94 nC

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0023 Ohm

Empaquetado / Estuche: HSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1E280BN

RS1E280BN Datasheet (PDF)

1.1. rs1e280bn.pdf Size:2699K _update_mosfet

RS1E280BN Datasheet 　　Nch 30V 28A Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　　　　　　 HSOP8 VDSS 30V 　 RDS(on)(Max.) 2.3mΩ 　　 ID ±28A 　　 PD 3W 　　　　　　　　　　　　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free

3.1. rs1e280gn.pdf Size:476K _update_mosfet

RS1E280GN Nch 30V 28A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 2.6mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 3.3mW ID 28A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

5.1. rs1e240gn.pdf Size:474K _update_mosfet

RS1E240GN Nch 30V 24A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 3.3mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 4.4mW ID 24A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

5.2. rs1e200gn.pdf Size:458K _update_mosfet

RS1E200GN Nch 30V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 4.6mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 6.1mW ID 20A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

5.3. rs1e200ah.pdf Size:1169K _update_mosfet

RS1E200AH Datasheet 　　Nch 30V 20A Power MOSFET 　　 lOutline l 　　　　　　 HSOP8 VDSS 30V 　 RDS(on)(Max.) 5.2mΩ 　　 ID ±20A 　　 PD 3W 　　　　　　　　　　　　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 5) 100% Rg and

5.4. rs1e240bn.pdf Size:2732K _update_mosfet

RS1E240BN Datasheet 　　Nch 30V 24A Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　　　　　　 HSOP8 VDSS 30V 　 RDS(on)(Max.) 3.2mΩ 　　 ID ±24A 　　 PD 3W 　　　　　　　　　　　　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free

5.5. rs1e200bn.pdf Size:2700K _update_mosfet

RS1E200BN Datasheet 　　Nch 30V 20A Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　　　　　　 HSOP8 VDSS 30V 　 RDS(on)(Max.) 3.9mΩ 　　 ID ±20A 　　 PD 3.0W 　　　　　　　　　　　　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Fr

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

Liste

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