RS1E320GN Todos los transistores

 

RS1E320GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RS1E320GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8
 

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RS1E320GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  rohm
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RS1E320GN

RS1E320GN Nch 30V 32A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)1.9mWRDS(on) at 4.5V (Max.)2.4mWID32APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 9.1. Size:475K  rohm
 rs1e300gn.pdf pdf_icon

RS1E320GN

RS1E300GN Nch 30V 30A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)2.2mWRDS(on) at 4.5V (Max.)2.8mWID30APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

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RS1E320GN

RS1E350BNDatasheetNch 30V 35A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 1.7m ID 35A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free

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History: 2N3820 | AM8958 | PHP30NQ15T | PHB110NQ08T | 7NM70G-TA3-T | PSMN9R0-25MLC | 2SK3574-ZK

 

 
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