RS1E320GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1E320GN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 32 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 42.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 15.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 740 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0019 Ohm

Empaquetado / Estuche: HSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1E320GN

RS1E320GN Datasheet (PDF)

1.1. rs1e320gn.pdf Size:476K _update_mosfet

RS1E320GN Nch 30V 32A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 1.9mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 2.4mW ID 32A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

5.1. rs1e300gn.pdf Size:475K _update_mosfet

RS1E300GN Nch 30V 30A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 2.2mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 2.8mW ID 30A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

5.2. rs1e350bn.pdf Size:2733K _update_mosfet

RS1E350BN Datasheet 　　Nch 30V 35A Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　　　　　　 HSOP8 VDSS 30V 　 RDS(on)(Max.) 1.7mΩ 　　 ID ±35A 　　 PD 3W 　　　　　　　　　　　　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free

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Liste

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