RS1E320GN Todos los transistores

 

RS1E320GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1E320GN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 32 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 42.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 15.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 740 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0019 Ohm

Empaquetado / Estuche: HSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1E320GN

 

RS1E320GN Datasheet (PDF)

1.1. rs1e320gn.pdf Size:476K _update_mosfet

RS1E320GN
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RS1E320GN Nch 30V 32A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 1.9mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 2.4mW ID 32A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

5.1. rs1e350bn.pdf Size:2733K _update_mosfet

RS1E320GN
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RS1E350BN Datasheet   Nch 30V 35A Middle Power MOSFET    lOutline l             HSOP8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 1.7mΩ     ID ±35A     PD 3W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free

5.2. rs1e300gn.pdf Size:475K _update_mosfet

RS1E320GN
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RS1E300GN Nch 30V 30A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 2.2mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 2.8mW ID 30A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

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