RS1E350BN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1E350BN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 215 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: HSOP8

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RS1E350BN datasheet

 ..1. Size:2733K  rohm
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RS1E350BN

RS1E350BN Datasheet Nch 30V 35A Middle Power MOSFET lOutline l HSOP8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 1.7m ID 35A PD 3W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free

 9.1. Size:475K  rohm
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RS1E350BN

RS1E300GN Nch 30V 30A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 2.2mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 2.8mW ID 30A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

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RS1E350BN

RS1E320GN Nch 30V 32A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 1.9mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 2.4mW ID 32A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

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