RS1G150MN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RS1G150MN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0106 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1G150MN

RS1G150MN Datasheet (PDF)

..1. Size:542K rohm
rs1g150mn.pdf

RS1G150MN Nch 40V 15A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V(8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)10.6mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)13.3mW(1) ID15A (2) (3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoH

9.1. Size:541K rohm
rs1g180mn.pdf

RS1G180MN Nch 40V 18A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V (8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)7.0mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)9.2mW(1) ID (2) 18A(3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(1) Source (5) Drain (2) Source (6) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(3) Source (7

9.2. Size:528K rohm
rs1g120mn.pdf

RS1G120MN Nch 40V 12A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V (8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)16.2mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)20.7mW(1) (2) ID12A(3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoH

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Liste

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