RS1G150MN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1G150MN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0106 Ohm

Encapsulados: HSOP8

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RS1G150MN datasheet

 ..1. Size:542K  rohm
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RS1G150MN

RS1G150MN Nch 40V 15A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 40V (8) HSOP8 (7) (6) RDS(on) at 10V (Max.) 10.6mW (5) RDS(on) at 4.5V (Max.) 13.3mW (1) ID 15A (2) (3) (4) PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoH

 9.1. Size:541K  rohm
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RS1G150MN

RS1G180MN Nch 40V 18A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 40V (8) HSOP8 (7) (6) RDS(on) at 10V (Max.) 7.0mW (5) RDS(on) at 4.5V (Max.) 9.2mW (1) ID (2) 18A (3) (4) PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. 2) High Power Small Mold Package (HSOP8). (1) Source (5) Drain (2) Source (6) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (3) Source (7

 9.2. Size:528K  rohm
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RS1G150MN

RS1G120MN Nch 40V 12A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 40V (8) HSOP8 (7) (6) RDS(on) at 10V (Max.) 16.2mW (5) RDS(on) at 4.5V (Max.) 20.7mW (1) (2) ID 12A (3) (4) PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoH

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