RS3E075AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RS3E075AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de RS3E075AT MOSFET
RS3E075AT Datasheet (PDF)
rs3e075at.pdf

RS3E075ATDatasheetPch -30V -7.5A Middle Power MOSFETlOutlinel SOP8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 23.5m ID 7.5A PD2.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (SOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.lPackaging
Otros transistores... RS1E300GN , RS1E320GN , RS1E350BN , RS1G120MN , RS1G150MN , RS1G180MN , RS1G260MN , RS1G300GN , AON6414A , RSD046P05 , RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA .
History: FDZ7064N | OSG70R600DSF | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | MPF6660
History: FDZ7064N | OSG70R600DSF | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | MPF6660



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor