RS3E075AT Todos los transistores

 

RS3E075AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RS3E075AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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RS3E075AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2678K  rohm
rs3e075at.pdf

RS3E075AT
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RS3E075ATDatasheetPch -30V -7.5A Middle Power MOSFETlOutlinel SOP8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 23.5m ID 7.5A PD2.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (SOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.lPackaging

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