RSD046P05 Todos los transistores

 

RSD046P05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSD046P05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63
 

 Búsqueda de reemplazo de RSD046P05 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RSD046P05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  rohm
 rsd046p05.pdf pdf_icon

RSD046P05

RSD046P05 Pch 45V 4.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-45VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)155mWID-4.5A(2) (1) (3) PD15WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

 0.1. Size:454K  rohm
 rsd046p05fra.pdf pdf_icon

RSD046P05

RSD046P05FRA Pch 45V 4.5A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-45VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)155mWID-4.5A(2) (1) (3) PD15WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

Otros transistores... RS1E320GN , RS1E350BN , RS1G120MN , RS1G150MN , RS1G180MN , RS1G260MN , RS1G300GN , RS3E075AT , P55NF06 , RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 .

History: BUK9Y113-100E | CEDM8004 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | STP11NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.