RSD046P05 Todos los transistores

 

RSD046P05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD046P05

Código: 046P05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 45 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.155 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-63

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RSD046P05 Datasheet (PDF)

1.1. rsd046p05.pdf Size:385K _update_mosfet

RSD046P05
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RSD046P05 Pch 45V 4.5A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS -45V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 155mW ID -4.5A (2) (1) (3) PD 15W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

1.2. rsd046p05fra.pdf Size:454K _update_mosfet

RSD046P05
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RSD046P05FRA Pch 45V 4.5A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS -45V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 155mW ID -4.5A (2) (1) (3) PD 15W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

 

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