RSD046P05 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD046P05  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm

Encapsulados: SC-63

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de RSD046P05 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RSD046P05 datasheet

 ..1. Size:385K  rohm
 rsd046p05.pdf pdf_icon

RSD046P05

RSD046P05 Pch 45V 4.5A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS -45V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 155mW ID -4.5A (2) (1) (3) PD 15W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

 0.1. Size:454K  rohm
 rsd046p05fra.pdf pdf_icon

RSD046P05

RSD046P05FRA Pch 45V 4.5A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS -45V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 155mW ID -4.5A (2) (1) (3) PD 15W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

Otros transistores... RS1E320GN, RS1E350BN, RS1G120MN, RS1G150MN, RS1G180MN, RS1G260MN, RS1G300GN, RS3E075AT, 8205A, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA, RSD100N10FRA, RSD131P10