RSD046P05 Todos los transistores

 

RSD046P05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSD046P05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63
     - Selección de transistores por parámetros

 

RSD046P05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  rohm
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RSD046P05

RSD046P05 Pch 45V 4.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-45VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)155mWID-4.5A(2) (1) (3) PD15WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

 0.1. Size:454K  rohm
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RSD046P05

RSD046P05FRA Pch 45V 4.5A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-45VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)155mWID-4.5A(2) (1) (3) PD15WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

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History: NCEP058N85GU | PMPB12UNEA | 26N50 | 2SK1249 | FQB50N06TM | 2N6904 | APM2558NU

 

 
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