RSD050N06FRA Todos los transistores

 

RSD050N06FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSD050N06FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.109 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63
 

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RSD050N06FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1067K  rohm
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RSD050N06FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD050N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specif

 5.1. Size:1224K  rohm
 rsd050n06.pdf pdf_icon

RSD050N06FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD050N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circ

 5.2. Size:1225K  rohm
 rsd050n06tl.pdf pdf_icon

RSD050N06FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD050N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circ

 7.1. Size:505K  rohm
 rsd050n10.pdf pdf_icon

RSD050N06FRA

4V Drive Nch MOSFET RSD050N10Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Drive circuits can be simple. 3) Parallel use is easy. 9 ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage

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History: HM2N20R

 

 
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