RSD100N10FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD100N10FRA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.133 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-63
Búsqueda de reemplazo de RSD100N10FRA MOSFET
RSD100N10FRA Datasheet (PDF)
rsd100n10fra.pdf
Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD100N10RSD100N10FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackag
rsd100n10.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBas
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Liste
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