RSD100N10FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD100N10FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.133 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD100N10FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD100N10FRA даташит

 ..1. Size:1374K  rohm
 rsd100n10fra.pdf pdf_icon

RSD100N10FRA

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 RSD100N10FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Packag

 5.1. Size:1155K  rohm
 rsd100n10.pdf pdf_icon

RSD100N10FRA

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Bas

Другие IGBT... RS3E075AT, RSD046P05, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA, 7N65, RSD131P10, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, RSD200N10TL, RSD201N10