RSD100N10FRA - аналоги и даташиты транзистора

 

RSD100N10FRA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RSD100N10FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.133 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD100N10FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD100N10FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1374K  rohm
 rsd100n10fra.pdf pdf_icon

RSD100N10FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD100N10RSD100N10FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackag

 5.1. Size:1155K  rohm
 rsd100n10.pdf pdf_icon

RSD100N10FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBas

Другие MOSFET... RS3E075AT , RSD046P05 , RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , 7N65 , RSD131P10 , RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , RSD160P05FRA , RSD175N10FRA , RSD200N10TL , RSD201N10 .

History: VBZFB40P03 | 2P7154BC | AP9U18GH

 

 
Back to Top

 


 
.