RSD131P10FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD131P10FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SC-63

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RSD131P10FRA datasheet

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RSD131P10FRA

RSD131P10FRA Pch 100V 13A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS -100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 200mW ID -13A (2) (1) (3) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

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RSD131P10FRA

RSD131P10 Pch 100V 13A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS -100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 200mW ID -13A (2) (1) (3) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

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