RSD131P10FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD131P10FRA
Código: 131P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-63
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD131P10FRA
RSD131P10FRA Datasheet (PDF)
rsd131p10fra.pdf
RSD131P10FRA Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)
rsd131p10.pdf
RSD131P10 Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 30P06
