Справочник MOSFET. RSD131P10FRA

 

RSD131P10FRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSD131P10FRA
   Маркировка: 131P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 100 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SC-63

 Аналог (замена) для RSD131P10FRA

 

 

RSD131P10FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  rohm
rsd131p10fra.pdf

RSD131P10FRA RSD131P10FRA

RSD131P10FRA Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

 5.1. Size:454K  rohm
rsd131p10.pdf

RSD131P10FRA RSD131P10FRA

RSD131P10 Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top