RSD131P10FRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RSD131P10FRA
Маркировка: 131P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: SC-63
Аналог (замена) для RSD131P10FRA
RSD131P10FRA Datasheet (PDF)
rsd131p10fra.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSD131P10FRA Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)
rsd131p10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSD131P10 Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .