Справочник MOSFET. RSD131P10FRA

 

RSD131P10FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD131P10FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD131P10FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD131P10FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  rohm
 rsd131p10fra.pdf pdf_icon

RSD131P10FRA

RSD131P10FRA Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

 5.1. Size:454K  rohm
 rsd131p10.pdf pdf_icon

RSD131P10FRA

RSD131P10 Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

Другие MOSFET... RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , 7N65 , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , RSD160P05FRA , RSD175N10FRA , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , RSD221N06 .

History: AM7302N | AP4409AGEH-HF | IXTX46N50L | APT20F50B | RQ3E080GN | AU7N60S | HGP043N15S

 

 
Back to Top

 


 
.