PMBF4416 Todos los transistores

 

PMBF4416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMBF4416
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PMBF4416 Datasheet (PDF)

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PMBF4416

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF4416; PMBF4416AN-channel field-effect transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistor PMBF4416; PMBF4416AFEATURES Low noise Interchangeability of drain andsource connections High gain.3handbook, halfpageDESC

 9.1. Size:304K  philips
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PMBF4416

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBF4391; PMBF4392; PMBF4393N-channel FETsProduct specification April 1995NXP Semiconductors Product specificationPMBF4391;N-channel FETsPMBF4392; PMBF4393DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film c

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PMBF4416

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF4391; PMBF4392;PMBF4393N-channel FETsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBF4391;N-channel FETsPMBF4392; PMBF4393DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors on a plasticmicrominiature envelope intended f

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