PMBF4416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMBF4416
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.015 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 0.8 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 150 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMBF4416
PMBF4416 Datasheet (PDF)
pmbf4416 pmbf4416a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF4416; PMBF4416AN-channel field-effect transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistor PMBF4416; PMBF4416AFEATURES Low noise Interchangeability of drain andsource connections High gain.3handbook, halfpageDESC
pmbf4391 pmbf4392 pmbf4393 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBF4391; PMBF4392; PMBF4393N-channel FETsProduct specification April 1995NXP Semiconductors Product specificationPMBF4391;N-channel FETsPMBF4392; PMBF4393DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film c
pmbf4391 pmbf4392 pmbf4393 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF4391; PMBF4392;PMBF4393N-channel FETsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBF4391;N-channel FETsPMBF4392; PMBF4393DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors on a plasticmicrominiature envelope intended f
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