PMBF4416 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMBF4416

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PMBF4416 datasheet

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PMBF4416

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBF4416; PMBF4416A N-channel field-effect transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel field-effect transistor PMBF4416; PMBF4416A FEATURES Low noise Interchangeability of drain and source connections High gain. 3 handbook, halfpage DESC

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PMBF4416

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBF4391; PMBF4392; PMBF4393 N-channel FETs Product specification April 1995 NXP Semiconductors Product specification PMBF4391; N-channel FETs PMBF4392; PMBF4393 DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film c

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PMBF4416

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBF4391; PMBF4392; PMBF4393 N-channel FETs April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification PMBF4391; N-channel FETs PMBF4392; PMBF4393 DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended f

Otros transistores... PHX6NA60E, PHX6ND50E, PHX7N60E, PHX8N50E, PHX8ND50E, PMBF4391, PMBF4392, PMBF4393, P55NF06, PMBF4416A, PMBF5484, PMBF5485, PMBF5486, PMBFJ108, PMBFJ109, PMBFJ110, PMBFJ111