RSD201N10FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD201N10FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: SC-63

 Búsqueda de reemplazo de RSD201N10FRA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RSD201N10FRA datasheet

 ..1. Size:892K  rohm
 rsd201n10fra.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

RSD201N10FRA Nch 100V 20A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS 100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 46mW (3) ID 20A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. *1 (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (1) (3) Source 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.

 5.1. Size:366K  rohm
 rsd201n10.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

RSD201N10 Nch 100V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 46mW (3) ID 20A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. *1 (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (1) (3) Source 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy. *2 BODY DIODE 5) Pb-f

 9.1. Size:241K  rohm
 rsd200n10.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 9.2. Size:1197K  rohm
 rsd200n05.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD200N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circu

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... RSD131P10, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, RSD200N10TL, RSD201N10, IRF4905, RSD221N06, RSD221N06FRA, RSE002P03TL, RSF010P03TL, RSF014N03TL, RSH065N03TB1, RSH065N06TB1, RSH070N05TB1